通过具有聚集增强发射特性的受体工程化紫外杂化局域化荧光团和电荷转移荧光团，在约380纳米波长实现高效窄带电致发光

《ACS Materials Letters》：Efficient Narrowband Electroluminescence at ～380 nm via Acceptor-Engineered Ultraviolet Hybridized Localized and Charge Transfer Fluorophores with Aggregation-Enhanced Emission

紫外有机发光二极管开发中，通过调控三维刚性供体与小型受体（氰基苯或嘧啶）的连接方式，合成了两种D-A结构聚集增强发光活性体3,6PC9N和3,6PC9D。器件在380nm附近实现半峰宽36nm的窄带发光，外量子效率分别达7.39%和7.18%，其中3,6PC9N未掺杂时EQE为4.17%，色坐标(0.162,0.035)。

　　

尽管紫外（UV）有机发光二极管（OLED）在生物学、化学、工业和医疗领域具有广泛的应用前景，但开发出具有接近380纳米窄带发射特性的高效UV OLED仍然是一个重要且具有挑战性的课题。本文通过将小型受体（氰苯或嘧啶）与三维刚性且体积较大的咔唑基供体连接起来，制备了两种基于供体-受体（D-A）型聚集增强发射（AEE）机制的活性发光材料3,6PC9N和3,6PC9D。这两种材料具有杂化的局域态和电荷转移态。所制备的掺杂OLED表现出显著的窄带紫外光发射，峰值分别为384纳米和379纳米，半高宽分别为36纳米，并具有优异的外部量子效率（EQE），分别为7.39%和7.18%。由于3,6PC9N分子结构中的“展开”构象以及较弱的π-π相互作用，其未掺杂状态的OLED也显示出较高的EQE（4.17%），色坐标为（0.162, 0.035）。这项工作为开发具有短波长窄带电致发光特性的高性能UV发光材料提供了一种有效的方法。