非晶相中p型载流子迁移率的下降

《ACS Materials Letters》：The Collapse of p-type Mobility in the Amorphous Phase

非晶半导体氧化物适用于中等温度下沉积n型晶体管，但p型材料在非晶相迁移率不足，无法优于非晶硅。未来需开发低结晶温度材料或改进直接结晶沉积工艺。

　　

许多电子应用，如光学透明电子器件、后端生产线应用、单片3D堆叠技术以及柔性电子设备，都需要能够在适中温度下制备n型和p型晶体管。然而，找到具有高载流子迁移率且符合这些要求的材料颇具挑战性，因为大多数材料的结晶温度都超过了这一范围。对于n型材料，一种方法是使用非晶态半导体氧化物。在这篇论文中，我们评估了一些在晶体相下有望作为p型材料使用的候选材料，考察了它们在非晶态下保持原有性能的能力。结果表明，这些材料都无法超越非晶硅的性能（非晶硅的载流子迁移率已经很低）。因此，进一步的研究需要集中在寻找结晶温度较低的材料，或者探索能够在适中条件下直接沉积晶体层的沉积技术上。