从OMCVD前驱体三苯基铋（Bn3Bi）中沉积高度取向的铋薄膜和单晶铋球

《Phosphorus, Sulfur, and Silicon and the Related Elements》：The deposition of highly oriented films of bismuth and single crystalline bismuth spheres from the OMCVD precursor tribenzyl bismuth (Bn 3Bi)

采用LPCVD法，以三苯基铋为前驱体，在玻璃基底上制备了连续均匀的铋薄膜，其连续性和厚度随基底与前驱体距离增加而降低。XRD显示薄膜择优取向为{012}晶面，沉积于Si(100)基底时形成单晶铋球，晶粒等轴且仅{012}晶面衍射，占总强度99.8%。首次实现Bi(012)晶面的CVD异质外延。

　　

迈克尔·P·雷明顿（Michael P. Remington, Jr）|菲利普·布杜朱克（Philip Boudjouk）

美国北达科他州法戈市北达科他州立大学化学与生物化学系

摘要

本文描述了利用三苯基铋（Bn₃Bi，其中Bn = CH₂C₆H₅）在玻璃基底上通过低压化学气相沉积（LPCVD）制备铋薄膜的过程。所制备的薄膜具有连续性且厚度均匀，但其连续性和厚度会随着基底与前驱体之间的距离增加而减弱。这些薄膜主要呈现{012}方向的择优取向。当在Si(100)表面上沉积时，会形成单晶铋球。这些球形、等轴的晶粒为单晶结构，仅{012}方向产生衍射现象，并占总衍射强度的99.8%。本研究首次展示了通过化学气相沉积方法实现Bi(012)异质外延的实例。