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场板结构与缺陷对沟道钝化α-IGZO薄膜晶体管综合效应的研究
《IEEE Transactions on Electron Devices》：Study of Combined Effect of Field-Plate Structure and Defects in Channel-Passivated a-IGZO Thin-Film Transistor
【字体： 大 中 小 】 时间：2025年12月09日 来源：IEEE Transactions on Electron Devices 3.2
编辑推荐：
研究漏极场板（FP）设计与活性层缺陷位置对通道隔离型非晶氧化铟镓锌（a-IGZO）薄膜晶体管（TFT）性能的影响。通过建立TCAD模型，分析不同缺陷位置对场效应迁移率、亚阈值摆幅和阈值电压的影响，发现FP可有效抑制缺陷引起的性能退化，且抑制效果与缺陷位置密切相关。