一种基于温度的非线性GaN HEMT模型

《IEEE Microwave and Wireless Technology Letters》：A Temperature-Dependent Nonlinear Model for GaN HEMTs

GaN HEMT温度依赖模型改进及多温区特性验证

　　

摘要：

在这封信中，我们基于可扩展的非线性高电子迁移率晶体管（EEHEMT）模型，开发了一种改进的氮化镓高电子迁移率晶体管（GaN HEMTs）温度依赖模型。为了精确捕捉GaN HEMTs的温度依赖特性，对原始EEHEMT模型的几个参数进行了修改，并建立了这些参数与环境温度之间的适当函数关系。为了验证所提模型的准确性，我们在以下温度下测量了栅宽为2×25μ m的GaN HEMT的直流（dc）和射频（RF）特性：?°°0°40°80°120° C。模拟数据与测量结果的比较表明，改进后的模型能够准确反映GaN HEMTs在评估的温度范围内的特性变化趋势。