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SO2 抑制OMS-2催化氧化单质汞的分子机制:基于密度泛函理论(DFT)的微观解析
【字体: 大 中 小 】 时间:2025年06月13日 来源:Computational and Theoretical Chemistry 3.0
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燃煤烟气中SO2 如何抑制OMS-2催化剂对Hg0 的脱除效率?本研究通过密度泛函理论(DFT)揭示了SO2 与Hg0 在OMS-2表面活性位点的竞争吸附机制,发现Os 位点是关键吸附位点,SO2 通过占据活性位点(吸附能-167.74 kJ/mol)及提高Hg0 氧化能垒(184.47 kJ/mol)双重作用抑制汞氧化,为设计抗硫中毒汞氧化催化剂提供理论依据。
汞污染因其神经毒性、环境持久性和生物累积性成为全球环境治理难题。燃煤电厂贡献了21%以上的人为汞排放,其中难处理的气态单质汞(Hg0
)因其高挥发性和低溶解度成为控制难点。锰基八面体分子筛(OMS-2)虽在120℃下可实现96.8%的Hg0
氧化效率,但烟气中SO2
会使其效率骤降至57.5%。这一现象虽在实验中被观测到,但SO2
抑制汞氧化的分子机制始终未明。
为解决这一科学问题,中国某高校团队在《Computational and Theoretical Chemistry》发表研究,首次通过密度泛函理论(DFT)系统揭示了SO2
对OMS-2催化氧化Hg0
的抑制机制。研究采用Materials Project数据库的OMS-2晶体结构,构建(110)表面模型,通过吸附能计算、Mulliken电荷分析和过渡态搜索等方法,从原子尺度解析了SO2
与Hg0
的相互作用路径。
催化剂模型
研究选取OMS-2的(110)晶面作为计算模型,该表面由MnO6
八面体构成2×2方形隧道结构,表面存在桥氧(Obr
)和顶氧(Os
)两类活性位点。
Hg0
吸附机制
DFT计算表明Hg0
在Os
顶位点的吸附能(-65.82 kJ/mol)显著高于其他位点,电子转移分析证实其为化学吸附。HgO中间体吸附能达-167.74 kJ/mol,说明其更易稳定存在于催化剂表面。
SO2
与O2
的竞争效应
研究发现SO2
会优先占据Os
活性位点,其吸附能(-167.74 kJ/mol)远超Hg0
。而O2
在表面解离能垒仅86.80 kJ/mol,生成的活性氧可促进Hg0
氧化。但当SO2
存在时,Hg0
需通过表面晶格氧氧化,能垒升至184.47 kJ/mol,成为速率控制步骤。
结论与意义
该研究首次从原子尺度阐明SO2
通过"活性位点抢占"和"能垒提升"双重机制抑制OMS-2的汞氧化性能。这一发现不仅解释了前期实验现象,更为设计抗硫中毒催化剂提供了明确靶点:通过调控表面氧物种的活性和分布,或可开发出在含硫烟气中仍保持高活性的新型汞氧化催化剂。研究建立的DFT计算方法也为其他气态污染物催化转化机制研究提供了范式。
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