我很荣幸地欢迎金伟博士加入 《IEEE 电子器件快报》 编委会。金伟博士的简介和素描图见下方。他的研究领域包括化合物半导体器件以及固态功率和高电压器件。
金伟 获得中国中山大学学士学位，中国成都电子科技大学 (UESTC) 硕士学位，以及香港科技大学 (HKUST)，香港博士学位。他曾任英诺赛科有限公司研发经理，专注于 8 英寸氮化硅基 (GaN-on-Si) 功率器件技术的商业化。他曾是香港科技大学的博士后研究员和研究助理教授。随后，他加入中国北京大学，目前担任集成电路学院助理教授。他正在积极探索超宽禁带半导体在各种应用中的潜力。他已在 IEDM、VLSI 研讨会及 IEEE 电子 器件 快报 等期刊/会议上发表了超过 200 篇同行评审论文。他的出版物已被引用超过 5500 次，H 指数为 42。他的研究兴趣包括 GaN、SiC 和 Si 功率器件及功率集成电路。他曾担任 IEEE 电子器件技术与制造会议 (EDTM)、IEEE 宽禁带功率器件与应用研讨会 (WiPDA) 及 IEEE CSIC 的 TPC 成员。
