一种成本效益高且可扩展的化学气相沉积方法，用于制备无铅Cs3Cu2Cl5闪烁体。该方法可显著提升材料的辐射发光性能，特别适用于高性能X射线成像应用

《Advanced Optical Materials》：A Cost-Effective and Scalable Chemical Vapor Deposition Method for Lead-Free Cs3Cu2Cl5 Scintillators with Enhanced Radioluminescence Suitable for High-Performance X-Ray Imaging

辐射探测用Cs3Cu2Cl5微晶薄膜通过一 步化学气相沉积法合成，具有241nm大斯托克斯位移和超高光致发光量子产率，实现线性剂量响应和高吸收系数，适用于低剂量X射线成像。

　　

摘要

在医学诊断和安全检查等应用中，对辐射检测的需求不断增加，这推动了闪烁体研究的发展。传统的闪烁体存在毒性问题、结晶困难以及生产成本高的限制。本文提出了一种一步化学气相沉积（CVD）方法，用于制备高纯度、大面积且均匀的Cs₃Cu₂Cl₅微晶薄膜。这种材料采用独特的自捕获激子（STE）发光机制，表现出241纳米的显著斯托克斯位移（Stokes shift）和高光致发光量子产率（PLQY），为X射线和高能辐射的转换提供了新的可能性。其发光强度随剂量率（25–188 μGy s^?1）呈线性增长，具有优异的剂量响应线性，并且其吸收系数与商用闪烁体相当。该X射线成像系统即使在低剂量下也能实现对芯片内部结构的高分辨率可视化。本研究建立了一种可控的大面积闪烁体薄膜合成方法，突显了Cs₃Cu₂Cl₅微晶薄膜作为下一代闪烁体材料的潜力。

利益冲突

作者声明不存在利益冲突。