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基于介孔二氧化硅纳米反应器的高稳定性钙钛矿纳米晶全光谱白光LED的合成与应用研究
【字体: 大 中 小 】 时间:2025年07月16日 来源:Small 12.1
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本文推荐一种创新的模板辅助合成策略,通过介孔二氧化硅(MSN)纳米反应器制备高稳定CsPbX3(X=Cl/Br/I)钙钛矿纳米晶(PNCs)。该方法突破了传统合成在溶剂稳定性和规模化生产上的瓶颈,实现了钇掺杂增强发光性能、卤素调控(Cl?→Br?)及无铅双钙钛矿Cs4Bi2MnCl12的合成,为单芯片全光谱白光LED提供了可商业化解决方案。
CsPbX3(X=Cl/Br/I)钙钛矿纳米晶因其优异的光电性能备受关注,但稳定性差和合成方法难以规模化制约其应用。研究团队开发了一种基于介孔二氧化硅(MSN)纳米反应器的模板辅助合成策略,成功制备出溶剂稳定性显著的CsPbCl3纳米晶粉末。通过钇掺杂进一步提升光学性能,卤素取代(Cl?→Br?)和无铅双钙钛矿Cs4Bi2MnCl12的合成实现了全光谱发射,为单芯片白光LED奠定基础。
无机铅卤化物钙钛矿纳米晶(PNCs)具有高光致发光量子产率(60–95%)和窄半峰宽,但面临湿度/紫外线稳定性差、铅毒性及规模化生产难题。现有改进策略包括元素掺杂(Sn/Mn)和封装保护(氧化物/聚合物),但介孔模板法合成CsPbCl3仍具挑战。本研究利用MSN的纳米级有序孔道作为惰性反应环境,高温下孔道坍塌形成保护层,显著提升纳米晶稳定性。
材料与合成:以十六烷基三甲基溴化铵(CTAB)为模板合成MSN,通过真空渗透法将CsCl/PbCl2前驱体注入MSN孔道,600°C煅烧获得CsPbCl3-MSN复合材料。钇掺杂通过添加YCl3实现,卤素调控采用CsBr/PbBr2替代。无铅Cs4Bi2MnCl12通过Bi2O3/MnCl2前驱体合成。
表征技术:X射线衍射(XRD)证实立方相CsPbCl3结晶(JCPDS No. 04-009-7249),透射电镜(TEM)显示3–5 nm纳米晶均匀分布。比表面积分析(BET)表明MSN孔容从0.59 cm3/g降至0.05 cm3/g,证实PNCs成功填充。
稳定性突破:CsPbCl3-MSN在水/乙醇/50% DMF中14天保持85%以上发光强度,而胶体PNCs在10分钟内衰减75%。MSN的物理屏障作用取代了传统OA/OLA表面配体,避免极性溶剂导致的卤素流失。
钇掺杂增效:5% Y3+掺杂使CsPbCl3发光强度提升6倍,XRD峰位偏移证实Y3+(离子半径小于Pb2+)成功掺入晶格。扫描电镜(SEM)-能谱(EDS)验证元素均匀分布。
全光谱LED应用:通过卤素比例调控(CsPbClBr2/CsPbCl1.5Br1.5)实现407–520 nm发射,结合Cs4Bi2MnCl12的红光发射,在370 nm UV芯片上实现CIE色坐标可调的白光LED,亮度达商业化标准。
该模板法兼具可扩展性和重复性,解决了钙钛矿纳米晶稳定性与规模化生产的核心难题,为光电器件商业化提供新范式。
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