高性能锡卤化物钙钛矿薄膜晶体管的化学溶液法成分工程制备：解锁高效电子器件新路径

金属卤化物钙钛矿半导体在器件制备上极具潜力，但钙钛矿薄膜溶液加工存在难题。研究人员开展基于化学溶液法成分工程制备高性能锡（Sn2+）卤化物钙钛矿薄膜晶体管的研究，实现高迁移率等性能提升，为相关器件发展提供支撑。

　　金属卤化物钙钛矿半导体凭借成本效益高、高通量的化学溶液工艺，能开发出具有卓越光电和电子性能的器件，备受关注。然而，钙钛矿薄膜的溶液加工面临诸多挑战，比如结晶过程难以精准控制、易形成有缺陷的沉积物，这些问题导致器件性能欠佳且重复性差。

锡（Sn2+）卤化物钙钛矿因具有较高的本征空穴迁移率，在制备高性能薄膜晶体管（TFT）方面前景广阔。但与研究更广泛的铅（Pb）基材料相比，Sn2+钙钛矿薄膜的快速结晶特性使得高质量薄膜的可靠制备困难重重。

近年来，成分工程成为实现Sn2+卤化物钙钛矿薄膜高产制备的成熟有效策略。该方法不仅能提升 TFT 性能，实现高空穴迁移率和高电流比，还能确保器件可靠运行，具备无滞后特性和长期稳定性。

本文介绍了前驱体制备、薄膜和器件的制造及表征的实验流程，整个过程通常耗时 20 - 24 小时。该实验方案要求对金属卤化物钙钛矿、钙钛矿薄膜涂覆工艺、标准 TFT 制造和测量技术有基本的了解。