层状二硫化钨(WS
2)作为一种潜在的阳极材料脱颖而出,因为它具有较高的理论容量和异常高的离子迁移率(约800厘米
2伏特
?1秒
?1),远高于其他层状过渡金属硫化物(通常小于300厘米
2伏特
?1秒
?1)[18]。此外,WS
2材料较高的内在密度(约7.60克/立方厘米)使其体积能量密度是石墨阳极材料(约2.25克/立方厘米)的5倍[19]。然而,在实际研究中,WS
2材料往往表现出较差的倍率性能和循环稳定性。主要问题在于:WS
2的多层结构限制了K离子的快速扩散,导致容量衰减,尤其是在高倍率电流下;并且堆叠结构缺乏足够的空间来缓解由体积变化引起的应力/应变,这对电池的循环稳定性极为不利[20,21]。
普遍认为,合理的结构工程可以在一定程度上解决上述问题,例如引入缺陷、扩大层间距、减少层数以及构建异质界面[18,[22], [23], [24], [25], [26]]。但这些策略都是被动的解决方案。WS2材料固有的刚性结构导致了上述一系列问题[[27], [28], [29]]。这使得当K离子深入嵌入WS2的层间时,无法消除内部应力/应变[[30], [31], [32], [33]]。此外,过度的结构工程往往会削弱相邻层之间的范德华相互作用,使S-W–S基面失去相互支撑。碳涂层已被证明可以改善电荷传输并缓解体积膨胀,但在报道的WS2/C复合材料中,碳含量通常高达40%–70%[18,22,23],这大大降低了电极材料的压实密度,从而导致其体积容量不理想。
在这里,我们提出了一种应变自松弛策略,通过将多巴胺(Dam)分子整合到WS2的层间来构建具有应变自松弛结构的复合材料(标记为Dam-WS1.87)。多巴胺具有较小的分子尺寸和多功能基团(–NH2/–OH),能够在保持机械完整性的同时实现嵌入诱导的结构调制。与传统碳复合材料不同,Dam的嵌入通过引入阴离子空位缺陷和扭曲的S-W–S基面来增加活性位点和传输通道,同时作为灵活的支撑,在循环过程中动态分散应变。基于此,应变自松弛的Dam-WS1.87结构不仅能够提高K离子的储存效率,还能缓解K离子嵌入引起的内部应力。结果,Dam-WS1.87材料在0.125 C电流下实现了前所未有的K离子储存容量(312.6毫安时/克)和稳定的循环性能(最多可循环1400次)。