基于Kondo效应与线性V/W型各向异性磁电阻的一维铁磁性揭示及其在自旋电子学中的应用潜力

本研究通过磁控溅射构建钼条带/单层石墨烯边缘结构，首次实验证实一维铁磁序与Kondo效应的共存。发现独特的线性V/W型各向异性磁电阻（AMR）特征，并在双条带结构中观测到室温自旋霍尔效应（SHE）和逆自旋霍尔效应（ISHE），为碳基自旋电子学器件开发提供了新范式。

　　

章节精选

单钼条带/单层石墨烯中的Kondo效应

实验采用机械剥离法制备SiO₂/Si基底上的石墨烯，通过光学显微镜、原子力显微镜和拉曼光谱联用确认单层结构。在钼条带沉积区域进行多点拉曼光谱扫描，结果显示...

结论

通过对三类器件（纯钼条带、单条带/MLG、双条带/MLG）的R-T曲线分析，我们证实Mo/MLG器件中存在Kondo效应。其磁矩源于钼条带与石墨烯界面形成的一维边缘。单条带与双条带结构均呈现独特的V/W型各向异性磁电阻（AMR），表明...