数字微镜器件(DMD)光刻技术[[1], [2], [3]]在微纳制造和定制设备制造领域展现出巨大潜力,因为它具有灵活性、高效率和无掩模操作的优势。其基本原理是通过控制微镜阵列的倾斜状态来动态调节光场分布,从而实现对光刻胶的曝光和图案化。然而,这项技术常受到微镜阵列的离散结构和光学衍射效应[4,5]的影响,导致曝光图案边缘出现明显的锯齿状失真和线宽不一致的问题。这些边缘缺陷降低了成像的保真度,限制了DMD光刻在高精度微纳制造中的应用。因此,开发高效的掩模优化[[6], [7], [8], [9], [10]]算法,通过精确调整微镜状态来补偿失真效应,是实现高保真成像的关键。
在像素化掩模优化方法中,基于梯度的算法[[11], [12], [13], [14], [15]]因其快速迭代收敛而得到广泛应用,但本质上受到局部最优解陷阱和高级节点处梯度计算复杂性的限制。相比之下,启发式全局优化算法(如遗传算法(GA)[[16], [17], [18]]和粒子群优化(PSO)[[19], [20], [21]]通过直接操纵掩模的像素状态来规避梯度计算的需求。这些算法在克服局部最优解的约束方面表现出有效性。然而,尽管GA具有强大的全局搜索能力,但其收敛速度慢且计算成本高,我们的初步测试表明使用GA进行每次掩模优化大约需要700秒[22,23]。因此,本研究采用了快速PSO进行优化,并通过混合和多样性技术对其进行了改进。我们的团队在之前的研究中通过算法混合和多样性增强技术进一步发展了PSO[24,25]。然而,在高保真度光刻模型和高维掩模的应用中,这些实现仍然经常遇到过早收敛和局部最优解陷阱的问题[[26], [27], [28]]。例如,Lee等人[29,30]开发了一种具有阻尼边界处理的动态调整PSO算法,用于逆向设计的透射超表面彩色滤波器,有效缓解了高维优化中的过早收敛问题,实现了超过70%的透射效率和全sRGB覆盖范围。黄等人[31]应用了结合模拟退火机制的PSO进行曲线掩模光学接近度校正。这种混合算法增强了粒子的多样性,有效克服了PSO对局部最优解的敏感性,从而显著提高了图案的保真度。这些结果表明,在高维掩模优化中,单一算法无法满足性能要求,凸显了混合方法[[32], [33], [34]]的必要性。这些互补方法共同验证了高维掩模优化中存在的持续挑战。
在这项研究中,我们提出了一种基于多样性驱动的分层PSO方法来优化DMD掩模。该方法构建了一个三级结构,不同层级采用不同的策略来协同增强全局探索、确保收敛稳定性和维持种群多样性。我们还引入了一种动态多样性驱动机制,通过实时调整分层粒子的比例来缓解传统PSO的过早收敛问题。实验结果证实了该算法的精度和效率提升,验证了其在DMD光刻中的有效性。这一框架为数字光刻中的高质量成像提供了高效解决方案,并可扩展到源掩模协同优化等场景。