硫化物固态电解质的电化学与机械演化:基于Operando XPS和电池压力测量的深入解析

【字体: 时间:2025年10月05日 来源:Small 12.1

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  本综述系统探讨了Li3PS4(LPS)基固态电解质在宽电压窗口(-0.05至5.0 V vs. Li/Li+)下的氧化还原机制与界面演化。通过operando XPS与压力监测联用,揭示了多硫化物(P-S-S-P)、Li2S与LinP等关键产物的动态形成路径、电导特性与体积变化,为全固态电池(ASSB)的界面设计与稳定性优化提供了关键见解。

  
1 引言
锂离子电池(LIB)因其高能量密度被广泛应用于便携电子、电动汽车与储能系统,但传统液态电解质存在易燃、热稳定性差等安全隐患。全固态电池(ASSB)采用不可燃的固态电解质(SE),兼具高离子电导率与高转移数,有望突破能量-功率密度权衡,并兼容金属锂负极以实现更高能量密度(约500 Wh kg?1)。在众多SE中,硫化物基SE(如Li3PS4)因室温离子电导率超过10?2 S cm?1、易合成与加工等优势成为研究热点。然而,硫化物SE与电极材料间的电-化学-机械界面不稳定性会导致阻抗上升、锂离子传输受阻与性能衰退。尽管过去十年通过理论计算、电化学测试与post mortem分析对SE分解路径、氧化还原产物、反应可逆性等开展了大量研究,但界面动态演化机制、产物电学特性与体积效应仍不明确。
2 结果与讨论
2.1 LPS:VGCF工作电极形貌与电化学性能
研究采用球磨法制备LPS与气相生长碳纤维(VGCF)复合工作电极(WE),SEM与EDX显示二者分散均匀且形成导电网络。循环伏安(CV)测试表明,在2.4–5.0 V高压区间,LPS氧化始于2.8 V,终于3.4 V,首次充电容量达86 mAh g?1;在2.4至-0.05 V低压区间,还原过程出现1.6 V与0.6 V两个还原峰,放电容量为218 mAh g?1,且后续循环中氧化还原峰可逆出现,证实界面反应具有部分可逆性。
2.2 Operando XPS解析界面化学演化
2.2.1 高压区间(至5.0 V)氧化机制
Operando XPS显示,在2.8–3.4 V区间,LPS中的PS43?单元通过桥接硫(P-S-S-P)形成多硫化物(如Li4P2S8),反应按2Li3PS4 → Li4P2S8 + 2Li+ + 2e?进行。S2p与P2p谱中,P-S-S-P组分(S2p3/2位于162.9 eV,P2p3/2位于132.6 eV)占比升至70%,而S-P组分(161.5 eV与131.7 eV)降至30%。未检测到单质硫(S0),且多硫化物具良好电子导电性(ΔBE = 0)。该过程伴随锂脱出与界面体积收缩(理论计算体积减少8.7%),导致接触损失与阻抗上升。
2.2.2 低压区间(至0.6 V与-0.05 V)还原机制
在1.9–1.7 V区间,多硫化物可逆转化为PS43?;低于1.9 V时,LPS进一步还原为Li2S(S2p3/2位于160.0 eV)与锂磷化合物LinP(P2p3/2位于130.2–124.6 eV,对应P0至Li3P)。这些产物呈电绝缘特性(ΔBE = +1 eV V?1),覆盖VGCF表面导致电子传输受阻。低于0.6 V时,残留氧气与锂反应生成Li2O(O1s位于530.0 eV)。充电过程中,Li2S与LinP在1.9–2.6 V可逆氧化为PS43?与多硫化物,Li2O也被氧化消失。
2.2.3 界面电学特性演变
通过核心能级结合能偏移(ΔBE)分析界面电导变化:导电物种(如VGCF的C1s)ΔBE = 0;绝缘物种(如LPS)ΔBE = -e·ΔVcell;半导体物种ΔBE = -e·ηS。高压氧化后多硫化物呈现金属性导电(ΔBE = 0),而还原产物Li2S与LinP则导致界面绝缘化,加剧极化。
2.3 Operando压力监测与机械演化
采用LTO|LPS|LPS:VGCF电池堆监测堆压变化:高压氧化时(2.8–3.4 V),压力下降200 kPa,对应锂脱出与体积收缩;低压还原时(1.9–1.0 V),压力上升100 kPa,源于锂嵌入与产物膨胀。这些机械变化与化学转化直接关联,影响界面接触与循环稳定性。
3 讨论
本研究明确了LPS在宽电压窗口下的降解路径:高压氧化生成导电多硫化物(无S0),低压还原生成绝缘Li2S与LinP。界面电导与体积变化动态耦合——氧化导致导电界面收缩,还原引发绝缘界面膨胀,二者均加剧机械不稳定性与阻抗增长。此外,残留气体(如O2)参与副反应生成Li2O,进一步影响界面性质。这些发现揭示了ASSB性能衰减的深层机制,为界面修饰(如包覆层设计)提供了理论依据。
4 结论
通过operando XPS与压力测量联用技术,本研究实现了对硫化物SE界面化学、电学与机械行为的动态关联分析,揭示了氧化还原产物的形成路径、电导特性与体积效应。该方法论可扩展至其他SE体系(如卤化物、氧化物),为ASSB的界面优化与长效设计提供了关键技术支持。
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