界面工程构建自供电MoSSe/MoSe2合金异质结光电探测器实现双功能成像与加密数据传输

来自国内的研究人员通过合金化与异质结能带调控策略，构建了具有II型能带排列的MoSSe/MoSe2范德华异质结光电探测器。该器件在零偏压下实现自供电性能，暗电流低至5×10?15 A，外量子效率(EQE)达470%，光谱响应覆盖200-1000 nm，为光学通信和成像传感提供了创新解决方案。

　　

二维过渡金属硫族化合物（TMDs）作为突破传统光电子技术限制的关键材料，仍面临本征缺陷阻碍载流子传输的挑战。本研究通过合金化与异质结能带调控相结合的策略，构建了具有II型能带排列的MoSSe/MoSe₂范德华异质结光电探测器。异质结界面形成的建电场显著提升了器件的光电转换效率，在550 nm光照下外量子效率（EQE）高达470%。该器件在零偏压下展现出卓越的自供电性能：超低暗电流（5×10^?15 A）、高比探测率（2.4×10⁹ Jones）以及覆盖200-1000 nm的超宽带光谱响应。此外，该探测器在加密数据传输和敏感多波长成像领域展现出巨大应用潜力。本研究为二维TMDs合金研究和高性能光电探测器设计提供了新思路，凸显其在光通信、成像与传感领域的应用价值。