半导体光催化是一种高效的催化技术,能够直接将太阳能转化为化学能,从而解决环境污染和能源短缺的紧迫问题。[1],[2],[3],[4],[5],[6],[7] 在光催化过程中,半导体的催化能力主要取决于其光吸收能力和光生电子的寿命,这两者都受到半导体带隙的影响。[8],[9],[10],[11],[12] 较宽的带隙可以保证光生载流子的氧化还原能力,但会减弱材料的吸光能力。[13],[14],[15],[16],[17],[18],[19],[20] 因此,选择具有合适带隙的半导体并进一步提高其光催化性能是关键挑战。[21],[22]
提高TiO2半导体催化剂光催化性能的常用策略包括形态调控[23],[24]、金属和非金属负载[25],[26]以及异质结构建[18],这些方法得益于催化剂本身存在的缺陷。TiO2纳米花状颗粒(NFs)是一种有前景的形态,它们具有单分散的、类似花朵的结构和开放的结构,从而提供了高比表面积,暴露出大量活性位点,并为反应提供了更直接的电子迁移路径。[27],[28] 在异质结形成方面,S型异质结可以轻松富集电子,延长电子寿命,并在保持半导体材料吸光能力的同时促进有效的电荷分离。[29],[30],[31],[32],[33] S型异质结由具有更正价带(VB)的氧化光催化剂和具有更负导带(CB)的还原光催化剂组成。[34] 在光照下,氧化半导体的CB中的光生电子与还原半导体的VB中的光生空穴在费米能级(Ef)差异产生的内部电场驱动下重新结合,从而提供高的氧化还原能力。因此,研究应专注于使用S型异质结直接构建光催化剂。
氧空位(OVs)作为一种内在缺陷,可以在缺陷位点引起局部电子重排,增强半导体的吸光能力并改变电荷转移能力。此外,氧空位的引入可以克服金属氧化物半导体的局限性,因为这些半导体由于原子配位饱和而无法依靠化学吸附来激活氧分子,并促进光生电子从光催化剂向氧分子的高效转移。[35],[36] 近年来,氧空位也被证实可以捕获电子以促进电荷分离,并作为O2活化的吸附位点。因此,在光催化剂表面引入大量氧空位不仅能够提高光催化效率,还能显著提高产物的产率和选择性。[37] 因此,需要进一步研究S型异质结中氧空位的应用及其协同效应。
在本研究中,我们采用传统的溶剂热方法制备了含有氧空位的稳定负载NiS的TiO2纳米花状颗粒,无需使用模板剂。通过调节NiS的负载量来控制光催化剂中氧空位的形成。通过物理化学表征确认了催化剂的合成和协同增强效果,并通过电化学研究进一步评估了产氢(H2)效率。