前体B细胞Igκ基因座Dm元件的表观遗传状态分析及其在等位基因表达中的潜在作用

本研究针对前体B细胞中Igκ基因座新型顺式调控元件Dm的甲基化状态调控机制展开探索。通过亚硫酸氢盐测序和染色质免疫沉淀技术，发现Dm元件在pre-B细胞中呈现高甲基化状态而在脾B细胞中发生部分去甲基化，且与组蛋白修饰（H3K27Ac/H3K9Ac）及Pax5结合密切相关，为阐明Igκ等位基因表达的表观遗传调控提供了新视角。

　　

B细胞发育过程中，免疫球蛋白κ轻链（Igκ）基因座经历V(D)J重编程和表观遗传调控等复杂分子过程。近期发现的Dm元件作为一种新型顺式调控区域，与3′Eκ和Ed增强子协同作用，参与Igκ去甲基化与体细胞超突变（SHM）。该区域具有高密度CpG二核苷酸特征（DNA甲基化典型标志）。研究团队通过亚硫酸氢盐测序和染色质免疫沉淀（ChIP）技术分析发现：在前体B细胞中，Dm元件呈现高度甲基化状态，但在脾脏B细胞中发生部分去甲基化转化。同时该区域富集活性组蛋白修饰标志（H3K27Ac和H3K9Ac），并被B细胞特异性转录因子Pax5结合。这些发现揭示了Dm元件在B细胞成熟过程中经历DNA甲基化重塑，可能通过表观遗传机制调控Igκ等位基因的特异性表达。