通过干法制备的共形MgSnOx中间层对无机CsPbI3钙钛矿太阳能电池中的电子传输层进行改性，以提高其性能和稳定性

《Journal of Materials Chemistry A》：Interface modification of the electron transport layer via a dry-processed conformal MgSnOx interlayer in inorganic CsPbI3 perovskite solar cells for enhanced performance and stability

本研究通过原子层沉积技术在SnO?电子传输层与FTO基底间引入MgSnOx中间层，优化能带对齐，有效降低漏电流和载流子复合，使钙钛矿太阳能电池转换效率提升至18.50%，同时减少焓滞并增强长期稳定性。

　　

为了提高钙钛矿太阳能电池（PSC）的性能，我们制备了基于低温SnO?的CsPbI? PSC，并在旋涂的SnO?电子传输层与氟掺杂氧化锡（FTO）基底之间通过原子层沉积（ALD）引入了MgSnO?中间层。通过调整MgSnO?中间层中的镁含量，可以实现与PSC钙钛矿活性层的有利能带对齐。因此，引入经过ALD处理的MgSnO?中间层可以减少漏电流、抑制载流子复合并改善载流子提取效果。此外，MgSnO?中间层还能提高钙钛矿层的质量，从而使制备的PSC的功率转换效率（PCE）从13.42%提升至18.50%，成为基于SnO?的CsPbI? PSC中效率最高的之一。引入MgSnO?中间层还能将迟滞现象降低约50%。未经封装的PSC在室温下、相对湿度为18–30%的空气中储存717小时后仍保持98%的初始效率；在1太阳光照条件下、N?气氛中储存200小时后仍保持90%的初始效率。本研究提出了一种有效的方法来优化基于SnO?的CsPbI?钙钛矿太阳能电池的性能，确保其长期稳定性和高效率。