在纹理化c-Si衬底上，利用纳米针孔实现的选择性孔洞聚硅（Poly-Si）/二氧化硅氮（SiOxNy）钝化接触技术，用于硅太阳能电池

新一代硅光伏技术依赖低界面复合和低接触电阻的电子-空穴选择接触。TOPCon主流技术已实现优异电子选择接触，但空穴选择接触在金字塔纹理硅表面仍面临挑战。本研究通过电化学合成纳米孔洞的10nm氧化亚氮钝化层，结合p+多晶硅覆盖层，在金字塔硅表面形成高性能空穴选择接触，接触电阻降至毫欧平方厘米量级，同时保持约5fA平方厘米的界面复合电流前置因子

　　

摘要

下一代硅光伏技术将基于具有极低界面复合率和接触电阻率的电子和空穴选择性接触结构。虽然新兴的主流TOPCon技术已经开发出了优异的电子选择性poly-Si/隧道SiO_x接触结构，但在纹理化表面上实现空穴选择性接触仍然是一个重大挑战。本文介绍了一种新型的高性能空穴选择性poly-Si接触技术，该技术利用电化学方法在金字塔纹理化的硅衬底上制备了空穴传输纳米孔，这些纳米孔位于10纳米厚的氧氮化物钝化介质层中，该介质层顶部覆盖有p^{+poly-Si层。这种高度钝化的氧氮化物层是通过在初始的SiO_x/SiN_y层堆栈中通过热退火实现O原子和N原子的原子混合而形成的。载流子的传输特性受纳米孔密度和尺寸的影响，这些参数可通过银纳米粒子的电沉积过程以及表面附着化学改性来调控。最终实现了低至mΩ·cm2级别的空穴接触电阻率，同时界面复合电流的抑制效果保持在约5 fA/cm2的水平。}

利益冲突

作者声明不存在任何利益冲突。