InSb粉末的合成以及采用新型有机金属化学气相沉积（OMCVD）前驱体——三苯基铟（Bn3In）和三苯基锑（Bn3Sb）制备InSb薄膜的过程

《Phosphorus, Sulfur, and Silicon and the Related Elements》：The synthesis of InSb powders and deposition of InSb films from the new organometallic CVD (OMCVD) precursors tribenzyl indium (Bn 3In) and tribenzyl antimony (Bn 3Sb)

三苯基铟与三苯基锑在350℃氮气中固相热解生成结晶InSb粉末，含Sb、In及In?O?杂质，推测经中间体形成并消除二苯基乙烷。低气压CVD在300℃玻璃基底上制备出低碳污染多晶InSb薄膜，温度接近其他锑基前驱体最低生长温度。

　　

迈克尔·P·雷明顿（Michael P. Remington）|菲利普·布杜朱克（Philip Boudjouk）

美国北达科他州立大学化学与生物化学系，法戈（Fargo），北达科他州（North Dakota, USA）

摘要

在三苯基铟（Bn₃In）和三苯基锑（Bn₃Sb）在350℃、1个大气压的氮气（N₂）条件下进行缩合相热解反应（反应物摩尔比为1:1），可生成高结晶度的InSb粉末。这些粉末中含有Sb、In以及In₂O₃作为结晶杂质。该反应可能通过两种化合物之间的加合物形成来实现，随后释放出1,2-二苯基乙烷（bibenzyl）。在玻璃基底上进行的低压化学气相沉积（LPCVD）实验表明，在300℃时能够制备出碳污染较低的InSb多晶薄膜。这一生长温度几乎与使用任何锑前驱体所获得的最低生长温度相当。