《Scripta Materialia》：Effect of Sn content on the electrical properties of In-Ga-Sn-O thin-film transistors fabricated via rf-magnetron sputtering
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本研究系统探究Sn含量对In-Ga-Sn-O（IGTO）薄膜晶体管（TFT）电气性能的调控作用，旨在突破In-Ga-Zn-O（IGZO）氧化物TFT的性能局限。通过调整In、Ga、Sn组成比例制备溅射靶材，利用射频磁控溅射沉积于玻璃基板，分析结构及电学特性；并在Si晶圆上沉积20nm通道层制备TFT器件，通过转移曲线评估其电性能及稳定性。
Hyunil Jo|Sumi Kim|Sung-Hoon Bae|Juhan Kim|Eunji Kim|Dong-gwan Kim|Changmin Lee|Yong-Gyu Kim|Byoung-Seong Jeong|Tae-Hoon Lee|Joon-Hyung Lee|Young-Woo Heo
韩国庆北国立大学材料科学与工程学院，大邱 41566
摘要
在本研究中，我们系统地探讨了Sn含量对In-Ga-Sn-O（IGTO）薄膜晶体管（TFT）电性能调节的作用。In-Ga-Sn-O是一种潜在的替代品，可用于替代显示行业中广泛使用的In-Ga-Zn-O（IGZO）氧化物TFT。通过系统地改变In、Ga和Sn的成分比例，我们旨在实现较高的场效应迁移率，并解决IGZO的性能局限。为了评估这些效应，我们使用传统的烧结方法制备了不同In、Ga和Sn比例的溅射靶材，并通过RF磁控溅射系统将这些靶材沉积在玻璃基板上，以分析其结构和电学性能。此外，还在硅晶圆上沉积了20纳米厚的沟道层来制造TFT，并通过测量转移曲线来评估其电性能和稳定性。
章节摘录
作者贡献声明
Hyunil Jo：撰写初稿、数据整理、概念构思。Sumi Kim：数据整理。Sung-Hoon Bae：数据整理。Juhan Kim：数据整理。Eunji Kim：数据整理。Dong-gwan Kim：数据整理。Changmin Lee：数据整理。Yong-Gyu Kim：数据整理。Byoung-Seong Jeong：撰写、审阅与编辑。Tae-Hoon Lee：撰写、审阅与编辑。Joon-Hyung Lee：撰写、审阅与编辑。Young-Woo Heo：撰写、审阅与编辑、资金筹措。
利益冲突声明
作者声明他们没有已知的财务利益或个人关系可能影响本文所述的工作。
致谢
本研究得到了韩国贸易、工业和能源部（MOTIE/KEIT）资助的技术创新计划（项目编号：20022447，目标是开发迁移率为30 cm2/Vs及以上的Ga还原氧化物TFT材料，适用于第八代大面积沉积）以及韩国教育部资助的BK21 Four项目（项目编号：2120231314753）的支持。
