自从成功实现石墨烯的机械剥离[1]以来,二维(2D)材料的研究在过去二十年中在物理学、化学、电气工程和材料科学等多个领域呈指数级增长[2,3]。作为2D材料家族中最著名的成员,石墨烯展现了许多优异的特性,如巨大的比表面积、高导热性、导电性和杨氏模量[4,5]。这些卓越的特性使石墨烯在能量存储、太阳能电池、可穿戴设备和催化等领域具有广泛的应用前景[6,7]。另一方面,由于其特殊的能带结构,石墨烯被归类为半金属材料,这虽然赋予了它极佳的电气性能,但限制了其在低功耗电子开关逻辑电路中的应用[8,9]。在这种情况下,其他类似石墨烯的2D材料也受到了关注,以弥补石墨烯的不足并扩展2D材料的应用范围[10,11]。其中,二硫化钼(MoS2)因其独特的带隙特性而受到科学界的广泛关注,使其有望克服无带隙石墨烯的局限性,从而在许多科学和工程领域发挥作用[12,13]。
在实际应用中,MoS2常与聚合物、金属、陶瓷和生物材料等基底结合,以实现功能化[14,15]。在各种基底材料中,尤其是铜(Cu)因其优异的导电性和导热性而备受关注[16,17]。据报道,Cu-MoS2复合材料具有独特的等离子体共振现象,可增强光电活性[18]。MoS2/Cu体系表现出极低的接触电阻,为开发具有更好传输特性的2D电子设备提供了新途径[19]。在Cu表面添加MoS2层后,由于Cu/MoS2界面处的部分镜面反射作用,Cu的电阻率显著降低[20]。此外,MoS2/Cu复合材料还可作为光敏电催化氢气析出反应的电极[21]。通常,MoS2/Cu复合材料中MoS2与Cu之间的相互作用主要受范德华(vdW)力支配,而非强化学键。因此,MoS2/Cu复合材料的性能在很大程度上取决于MoS2层与Cu层之间的相互作用。
在柔性电路的反复弯曲或微机电系统中的循环载荷等实际使用条件下,MoS2/Cu复合材料经常承受面内载荷[22,23]。在这种载荷下,界面不仅需要传递局部应力,还需调节Cu基底的宏观塑性变形。根据以往对2D材料/金属复合材料的研究,2D材料的界面滑移和皱褶以及位错与2D材料之间的钉扎效应已成为影响其可靠性的关键力学挑战[24],[25],[26],[27]。此外,当MoS2/Cu复合材料受损时,变形引起的应力会导致MoS2的其他物理性质发生变化,例如拉曼光谱峰位的移动和导电性的降低[28],[29],[30],[31],[32]。因此,建立MoS2/Cu复合材料面内拉伸与界面变形之间的定量结构-性能关系对其在各种应用中的可靠性设计至关重要。然而,关于Cu/MoS2界面力学特性的研究仍较为有限。
本文通过原位拉伸试验和MD模拟,研究了转移到Cu基底上的MoS2纳米片的界面力学行为。原位拉伸测试结果表明,不同厚度的MoS2纳米片在底层Cu基底受拉伸时表现出不同的变形行为。在Cu上转移的单轴拉伸MD模拟中也观察到了类似的现象。基于一系列MD模拟和理论分析,我们发现不同厚度MoS2纳米片力学行为的变化归因于MoS2/Cu界面传递的载荷与MoS2纳米片弯曲刚度之间的竞争。