通过使用甲基氨铅溴钙钛矿薄膜作为空穴传输层，对锑硒硫化物太阳能电池中的界面键合进行工程化处理

《Journal of Materials Chemistry A》：Interfacial bond engineering in antimony selenosulfide solar cells via methylammonium lead bromide perovskite film as a hole transport layer

Sb2(S,Se)3太阳能电池通过MAPbBr3钙钛矿薄膜作为新型空穴传输层（HTL）实现高效能稳定，其共价键界面钝化缺陷并抑制电子复合，使转换效率达9.37%，开创了界面工程新范式。

　　

硫硒化锑（Sb?(S,Se)?）作为一种材料，在能源和光电子领域已成为研究的热点，这主要归功于其可调的带隙、优异的稳定性和一维晶体结构。Sb?(S,Se)?太阳能电池通常采用层状结构，其中空穴传输层（HTL）对电池效率、工作稳定性和载流子传输能力起着关键作用。尽管Sb?(S,Se)?光伏技术取得了显著进展，但其发展仍受到效率与稳定性之间权衡的限制，这一限制主要源于传统HTL（如Spiro-OMeTAD）的界面缺陷和热降解问题，这些材料在常温条件下性能会迅速下降。在本研究中，我们策略性地使用溴化甲基铵铅（MAPbBr?）薄膜作为HTL，利用其Pb–S(Se)和Sb–Br共价界面键与Sb?(S,Se)?之间的相互作用，以提高电荷提取效率并钝化界面缺陷。紫外光电子能谱（UPS）分析显示，在Sb?(S,Se)?/MAPbBr?异质结界面处存在明显的能带对齐现象，有效抑制了界面电子复合。此外，我们在优化后的太阳能电池中实现了9.37%的创纪录功率转换效率（PCE），这是迄今为止报道的硫属化合物/钙钛矿异质结太阳能电池的最高效率值。本研究提出了一种基于钙钛矿的HTL类型，能够实现高效的界面能带对齐，为高性能光伏器件的界面工程开辟了新的范式。