电子束共沉积的Bi1?xTex

《Journal of Materials Chemistry C》：Electron beam co-deposited Bi1?xTex

本研究采用电子束共蒸法制备了n型Bi1?xTe-x薄膜（x=0.57–0.66），系统研究了退火温度对塞贝克系数、电导率和功率因子的影响。未经退火的薄膜在x=0.59时功率因子达310 μW m?1 K?2，经300°C退火后显著提升至1800 μW m?1 K?2。

　　

Bi_1?xTe_x化合物由于其较高的塞贝克系数（Seebeck coefficient）、高电导率和在室温下的低热导率，成为最常用的热电材料之一。用于热电应用的N型Bi_1?xTe_x薄膜是通过电子束共蒸发（electron beam co-evaporation）方法沉积在玻璃基底上的，这些薄膜的x值范围为0.57–0.66。本研究探讨了化学计量比（stoichiometry）对沉积薄膜的塞贝克系数、电导率以及功率因数（power factor）的影响。实验结果表明，当x=0.59时，薄膜的功率因数达到最大值310 μW m^?1K^?2。所有样品均经过分阶段退火处理（每步50°C，共退火10小时），最高退火温度为350°C，每次退火后均测量了其热电性能。在300°C下进行热退火处理后，样品的热电性能显著提升，最大功率因数达到了约1800 μW m^?1K^?2。