基于芯片的放大自发辐射源，采用Er3+掺杂的薄膜锂铌酸盐材料

《Laser & Photonics Reviews》：Chip-Based Amplified Spontaneous Emission Source on Er3+-Doped Thin Film Lithium Niobate

一种基于Er3?掺杂薄膜锂诺瓦波导的集成ASE光源被提出，通过光刻辅助化学机械抛光技术实现低损耗（约0.5 dB/cm）、大模场（≥110 μm2）和单模特性，在C+L波段（1530-1565 nm）获得9.16 mW宽带输出功率，对应4.7%的泵浦功率斜率效率。

　　

摘要

本文介绍了一种基于Er³?掺杂的薄膜锂铌酸盐（Er: TFLN）材料制成的光波导上的片上放大自发辐射（ASE）源。该集成器件在C+L波段实现了9.16 mW的宽带输出功率，相对于吸收的泵浦功率，其斜效率为4.7%。该器件具有较低的传输损耗、较大的模式场，并通过光刻辅助的化学机械蚀刻技术实现了单模传输。

利益冲突

作者声明不存在利益冲突。