二氧吲哚并吲哚基亚甲基-丙二腈与苯并二呋喃二酮连接的有机半导体,用于n型非封装场效应晶体管

《Synthetic Metals》:Dioxoindoloindol-ylidene-malononitrile and benzodifurandione connected organic semiconductors for n-type unencapsulated field-effect transistors

【字体: 时间:2025年10月11日 来源:Synthetic Metals 4.6

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  两有机半导体材料M1和M2通过引入强吸电子基团(乳酰胺、乳酮、氰基)实现共平面结构,其LUMO能级达-4.32 eV,在未封装OFET器件中表现出单极性电子传输特性,电子迁移率达3.90×10^-3 cm2/V·s。

  
彭长远|金浩民|卢鹏|金英勇|康宝硕|张国兵
合肥工业大学化学与化学工程学院,安徽省先进功能材料与器件重点实验室,国家特种技术工程实验室,中国合肥,230009

摘要

本文合成了两种含有二氧吲哚吲哚亚甲基-马来腈和苯并二呋喃酮结构的有机半导体。这些半导体在其共轭主链中整合了强电子缺位的内酰胺、内酯和氰基团,并被应用于n型非封装有机场效应晶体管(OFETs)中。有机半导体展现出完全共平面的结构以及较低的空态分子轨道能级(-4.32 eV)。在室温条件下未进行封装评估的OFET器件表现出单极电子传输特性,其峰值电子迁移率为3.90 × 10^-3 cm^2 V^-1 s^-1。

引言

基于小分子和聚合物的有机半导体由于其在低成本、轻量化和柔性有机电子器件方面的潜在应用而受到了广泛关注。[1], [2], [3], [4], [5] 与表现出高载流子传输率和优异空气稳定性的p型半导体相比,n型半导体的研究进展明显滞后。[6] 这种差异源于n型有机半导体需要同时具备较低的最低未占据分子轨道(LUMO)和较高的最高占据分子轨道(HOMO)能级,以实现电子注入和空穴阻断。[7] 实际上,大多数有机半导体由于难以同时实现低LUMO和高HOMO能级而表现出空穴和双极传输特性。[8], [9], [10], [11] 另一方面,由于水和氧气的影响,大多数n型有机半导体在室温条件下难以实现单极电子传输。[12], [13], [14], [15], [16]
众所周知,在有机半导体中引入强吸电子基团是降低分子轨道能级的有效方法,有利于电子注入和稳定传输。[17], [18], [19] 常见的强吸电子基团包括酰亚胺、内酰胺、氰基、羰基和酯基等,这些基团被引入到共轭小分子和聚合物的主链或侧链中以实现电子传输。[20], [21], [22], [23] 例如,含有强吸电子基团的萘二亚胺(NDI)和苝二亚胺(PDI)是构建低能级半导体的经典单元,在室温条件下能够实现电子传输。[24], [25] 双(氧吲哚亚甲基)-苯并二呋喃酮(BIBDF)通过在外侧融合环中引入内酰胺基团和在中心核心引入内酯基团,成为另一种强吸电子单元。[26], [27] 基于BIBDF的共轭小分子和聚合物表现出优异的电子传输特性,其衍生物的电子迁移率最高可达10 cm^2 V^-1 s^-1。[28] 然而,n型有机半导体仍然较为罕见,大多数研究都是在半导体层与空气隔离的条件下进行的。[29] 因此,设计和合成能够在室温条件下直接实现单极电子传输的非封装有机半导体器件具有重要意义。[3], [30], [31], [32]
本文报道了基于二氧吲哚吲哚亚甲基-马来腈和苯并二呋喃酮结构的小分子(M1和M2)的设计与合成,这些小分子在非封装的有机场效应晶体管(OFETs)中表现出n型传输特性。这些小分子以BIBDF为核心,两侧对称地连接着内酰胺和内酯基团,并带有氰化的氧吲哚基团。这种结构将内酰胺、内酯和氰基等强吸电子基团整合到共轭主链中,使得LUMO能级较低,有利于电子注入和传输,同时HOMO能级较高,有效阻挡了空穴注入,从而实现了单极电子传输特性。[33], [34] 此外,主链中不存在C-C内部旋转构象,使得分子具有高度平面化的结构。因此,使用这些有机半导体(M1和M2)制备的溶液处理OFET器件在室温条件下表现出单极电子传输,最大电子迁移率为3.90 × 10^-3 cm^2 V^-1 s^-1。

合成与表征

两种有机半导体(M1和M2)的合成路线如图1所示。首先,使用碳酸钾进行N-烷基化反应,得到具有不同侧链的角萘双异氰酸酯(1和2)。随后,烷基化的萘双异氰酸酯与苯并二呋喃酮发生醛醇缩合反应,生成融合的双异氰酸酯中间体(3和4),其中同时包含了双(氧吲哚亚甲基)-苯并二呋喃酮和异氰酸酯结构。最终合成了目标化合物。

结论

本研究开发了两种新型小分子,其主链中整合了强电子缺位的内酰胺、内酯和氰基团,适用于n型非封装OFETs。由于缺乏C-C键旋转构象以及多个强吸电子基团的存在,这些小分子具有高度的共平面性,并且LUMO能级非常低(-4.32 eV)。未经半导体层封装的OFET器件表现出单极电子传输特性。

作者贡献声明

金英勇:数据可视化、软件处理。 康宝硕:项目监督、项目管理、资金申请。 卢鹏:数据可视化、结果验证。 彭长远:撰写、审稿与编辑、数据可视化、结果验证、软件处理。 金浩民:数据可视化、软件处理。 张国兵:初稿撰写、项目监督、资源协调、项目管理、资金申请。

利益冲突声明

作者声明没有已知的财务利益冲突或个人关系可能影响本文的研究结果。

致谢

本研究得到了中国国家自然科学基金(NSFC,项目编号22175050)、安徽省自然科学基金(2308085UM05)以及韩国国家研究基金会(NRF,由韩国科学技术信息通信部(MSIT)资助,项目编号RS-2023-NR076607)的支持。部分研究工作在韩国浦项加速器实验室(PLS-II)的3C SAXS-I和9A U-SAXS光束线上完成。
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