通过(Cu, Ga)富相诱导显微结构优化增强Nd-Ce-Fe-B磁体矫顽力
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时间:2025年10月12日
来源:Journal of Magnetism and Magnetic Materials 3
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本研究发现通过660°C退火处理,(Cu, Ga)掺杂的Nd-Ce-Fe-B磁体中形成新型四方结构(RE, Cu, Ga)富相和(RE, Cu, Ga, Fe)富相,这些非铁磁相厚度可达40.2nm并能有效隔离RE2Fe14B晶粒,结合REFe2相等富稀土相分布优化,使矫顽力(Hcj)提升38.13%,为设计高性能稀土永磁材料提供新思路。
退火磁体和原始烧结磁体的退磁曲线如图1a所示,由此获得矫顽力(Hcj)、剩磁(Br)和最大磁能积((BH)max)(图1b)。在这些磁性参数中,Hcj从原始烧结磁体的6.32kOe提升至620°C退火样品的8.95kOe,随后随退火温度升高至660°C时略有下降。此时8.73kOe的Hcj仍比原始烧结磁体高出38%。
含Cu和Ga的Nd-Ce-Fe-B磁体在660°C退火温度下获得最佳综合磁性能,此过程中在晶界区域同时形成两种新型四方结构相:(RE, Cu, Ga, Fe)富相和(RE, Cu, Ga)富相。它们的晶格参数分别为a = b = 10.414?, c = 12.541?和a = b = 5.207?, c = 6.271?。这两种包裹晶粒的非铁磁相厚度可达40.2nm,能有效抑制磁耦合。
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