镍修饰铂栅AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管传感器用于氨气检测及其在生物医学中的应用
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时间:2025年10月13日
来源:Sensors and Actuators A: Physical 4.1
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本研究创新性地采用镍(Ni)修饰铂(Pt)栅极结构,开发出高性能AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)氨气(NH3)传感器。该传感器在120oC工作温度下展现卓越性能:对50 ppm NH3响应度高达123.3%,响应时间仅~18秒,检测限(LOD)低至0.41 ppm。通过双金属协同效应有效提升选择性与灵敏度,为呼气氨检测(非侵入性疾病筛查)和环境污染监测提供了突破性解决方案。
双金属栅极设计通过镍铂协同效应实现电子特性调控,显著增强传感器对氨分子的识别能力。
Device structure and characterization
图1(a)展示了Ni/Pt栅HEMT传感器的精巧同心圆电极结构,这种设计无需传统台面隔离即可实现源漏电流的有效调控。SEM图像[图1(b)]显示栅金属层呈现典型岛状生长模式,XRD图谱[图1(c)]在40.5°和46.8°出现Pt(111)与Pt(200)的特征衍射峰,证实面心立方晶体结构。EDS元素映射[图1(d)]直观呈现Pt与Ni元素在栅区的均匀分布,XPS深度分析揭示关键电子现象:Pt0 4f7/2结合能向低能方向偏移0.25 eV,表明Ni原子向Pt转移电子,这种电子重构效应极大增强了栅极催化活性。
Electrical characteristics
器件的转移特性曲线展现优异性能:开关电流比高达3.61×104,亚阈值摆幅(SS)低至102 mV/dec,阈值电压为-3.8 V。输出特性曲线显示明显饱和特性,证实二维电子气(2DEG)通道的良好形成。
传感器在室温即显示氨气响应能力,在120oC达到最佳性能:对1-50 ppm NH3呈现浓度依赖性响应,50 ppm时响应高达123.3%。动态响应曲线显示超快响应时间(~18秒)和完整恢复特性。选择性实验证明其对氢气的交叉敏感性显著降低(NH3/H2响应比从1.45提升至3.0),展现卓越特异性。长期稳定性测试表明21天后性能仅衰减6.8%。
镍修饰通过两种机制增强传感性能:1) 电子效应:Ni向Pt的电子转移增强氨分子吸附能 2) 催化效应:Ni提供额外活性位点促进NH3分解反应。氨分子在Pt表面解离为NHx物种并释放电子,这些电子进入Pt层导致肖特基势垒降低,进而调制二维电子气(2DEG)通道电导率。
镍修饰铂栅HEMT传感器成功实现低温高性能氨气检测,为呼气氨医学检测和环境监测提供了新一代解决方案。
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