冷冻固化-真空干燥法制备高质量二维黑磷与共价有机框架双层异质结的忆阻器应用研究

来自国内的研究团队开发了一种冷冻固化-真空干燥（FSVD）新策略，成功实现大面积均匀二维黑磷（BP）薄膜制备，并构建Al/EB-COF/BP/ITO双层异质结忆阻器。该器件在±1V低扫压下展现优异忆阻性能，为卷积神经网络图像加密与识别提供了硬件基础。

　　

针对传统方法（机械剥离、液相剥离、化学气相沉积等）无法大规模制备均匀二维黑磷（BP）纳米层且气相沉积成本高昂的问题，研究团队创新性提出冷冻固化-真空干燥（Freezing-Solidification-Vacuum Drying, FSVD）策略。该技术成功实现高质量二维BP薄膜的大规模制备，并通过液-液界面辅助法将EB-COF（Covalent Organic Framework）薄膜转移至BP/ITO基底上，构建出Al/EB-COF/BP/ITO双层异质结器件。该器件在±1V低电压范围内表现出卓越的忆阻性能，基于此性能进一步构建卷积神经网络，实现了图像数据的加密与识别功能，为二维材料在忆阻器和光电器件中的应用提供了突破性解决方案。