复合流道与弯曲磁路磁流变阻尼器(CFCCMC-MRD)的仿真分析与性能评估：一种提升磁场利用率与性能稳定性的新策略

本文综述了一种新型复合流道弯曲磁路磁流变阻尼器(CFCCMC-MRD)的设计与性能。研究通过优化磁路与流道结构，显著提升了传统磁流变阻尼器(MRD)的磁场利用率（激活率达72.9%）与性能稳定性。电磁场仿真与实验验证表明，该阻尼器在2.5 A电流下最大输出阻尼力(ODF)达6299.56 N，动态可调范围(DAR)为7.399，为高性能MRD设计提供了理论依据与实验支持。

　　

Highlight

磁路模型

图3描绘了CFCCMC-MRD的磁路，黑色线段代表磁阻(MR)。图4展示了其等效磁路。根据等效磁路法，一组励磁线圈的磁路由20个串联的磁阻组成，分别用R₁ ~ R₂₀表示。

磁路中磁阻的计算公式如下：

R_i = l_i / (μ₀μ_iS_i)

其中 R_i 是部件 i 的磁阻，l_i 代表...

磁场分布特性比较

本研究使用Maxwell进行电磁场分析。由于CFCCMC-MRD的对称性，采用其1/2横截面进行仿真。常规双线圈MRD和CFCCMC-MRD在2.5 A励磁电流下的电磁场分析结果如图7、图8和图9所示。

图7描绘了CFCCMC-MRD和常规双线圈MRD的磁力线分布图。如图7所示...

CFCCMC-MRD的阻尼性能评估

这些实验主要测试CFCCMC-MRD在不同外部输入激励条件下的性能。CFCCMC-MRD的组装部件和测试样机如图16所示，其阻尼性能测试平台如图17所示。阻尼器安装到测试平台上后，试验台对其施加振动激励，并通过计算机采集测试数据。实验初期，阻尼器的活塞头位于...

结论

本研究设计了一种新型CFCCMC-MRD。完成了CFCCMC-MRD的磁路和流道设计，随后建立了其磁路模型和阻尼力模型。利用电磁场仿真研究了各种结构参数对磁场分布的影响。制作了CFCCMC-MRD样机并通过实验测试验证了其阻尼性能。本研究的结果总结如下...