miR-183/96/182簇通过负调控mTOR通路加剧氟铝联合暴露所致学习记忆损伤的机制研究

《Biological Trace Element Research》：miR-183/96/182 Cluster Negatively Targets mTOR to Exacerbate Learning and Memory Impairment Caused by Combined Fluorine and Aluminium Exposure

本研究针对氟(F)与铝(Al)联合暴露导致学习记忆功能损伤的机制难题，由研究人员通过二代大鼠模型和NG108-15细胞模型，发现FA暴露上调miR-183/96/182簇(miR-183c)表达，进而抑制mTOR/P70S6K信号通路诱发神经元凋亡。抑制miR-183c可逆转上述损伤，为FA神经毒性防治提供新靶点。

　　

神经毒性物质氟(F)和铝(Al)对神经系统具有显著损害作用。在自然与人为污染环境中，氟铝复合物(FA)常共存且与学习记忆功能衰退相关，但其分子机制尚未完全阐明。前期研究发现FA过量暴露会引发海马区神经元凋亡，并改变miR-183、miR-96和miR-182（即miR-183/96/182簇，miR-183c）的表达水平。本研究通过二代(F₂)大鼠模型与NG108-15细胞模型，结合miR-183c抑制剂干预，揭示FA通过上调miR-183c抑制mTOR/P70S6K信号通路，进而诱导神经元凋亡并导致学习记忆缺陷的机制。流式细胞术检测显示凋亡水平升高，qRT-PCR和蛋白质印迹(WB)结果证实miR-183c表达上调与mTOR/P70S6K通路受抑的关联。值得注意的是，miR-183c抑制剂可有效逆转FA引起的病理变化。本研究首次建立FA致认知功能障碍与miR-183c介导的mTOR/P70S6K通路抑制之间的因果关系，为靶向miR-183c干预FA神经毒性提供了理论依据。