幕上手术睡眠状态下运动诱发电位监测中术中癫痫发作的危险因素分析

《Clinical Neurophysiology》:Risk factors for intraoperative seizures during asleep motor evoked potential monitoring in supratentorial surgery

【字体: 时间:2025年10月18日 来源:Clinical Neurophysiology 3.6

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  本文系统分析了232例幕上脑病变手术患者,发现术中癫痫发作(IOS)发生率为15.1%,其风险与较高刺激强度(>20?mA)、年轻患者、海绵状血管瘤及癫痫病史显著相关。研究强调针对高危患者采用个体化刺激方案可有效降低IOS风险,为 asleep 状态下运动诱发电位(MEP)监测提供了重要临床指导。

  
Highlight
我们的研究发现,使用超过20?mA的刺激强度会显著增加术中癫痫发作(IOS)风险,而高风险患者的刺激阈值更低。个体化刺激方案可有效降低IOS风险。本研究提供了睡眠手术中IOS危险因素的大规模数据分析,并对相关因素进行了系统性综述。
Conclusions
本研究证实,高强度的直接电刺激(DES)会增加IOS风险,且在相同电流强度下,有癫痫病史的患者风险更高。抗癫痫药物(ASM)可降低IOS风险,尤其对有癫痫病史者。海绵状血管瘤和年轻患者与显著更高的IOS风险相关。因此,在针对这些高风险患者群体手术时,需特别注意采用最低有效电流强度以避免IOS。
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