硅神经探针上的溅射氧化铱涂层作为单神经元记录的神经接口

《ACS Applied Electronic Materials》：Sputtered Iridium Oxide Coating of the Silicon Neural Probe as a Neural Interface for Single-Neuron Recording

高精度神经电极研究利用磁控溅射制备IrO薄膜，通过调节氧氩流量探究微电极结构、形貌及电化学特性对阻抗和电荷存储能力的影响，为开发高灵敏度单神经元记录探针提供理论支持。

　　

在单神经元层面使用高精度神经电极对于识别大脑中感觉、运动和认知过程的神经机制至关重要。尽管微电极可以提高空间分辨率，但它们的较小尺寸会导致电荷边缘效应，从而增加阻抗并降低电荷存储容量（CSC）。近年来，人们采用了纳米材料和表面工程技术来提升电极性能；然而，诸如机械强度不足和电荷存储容量低等缺点仍然存在。氧化铱（IrO_x）因其高电荷存储容量、低阻抗和稳定性而成为理想的选择。然而，如何在微尺度电极上实现其最佳制备和性能调节仍需深入研究。本文系统地探讨了在不同氧/氩流量条件下，通过磁控溅射制备的氧化铱薄膜如何影响微电极的结构、形态和电化学性能。研究目的是揭示工艺参数与电极性能之间的关系，并为开发具有高度敏感的单神经元记录能力的神经探针提供理论和技术支持。