Mo掺杂对NbSe2超导性能的影响

《ACS Applied Electronic Materials》：Effects of Mo Doping on the Superconducting Properties of NbSe2

过渡金属二硫化物NbSe?中掺入0.01摩尔比的Mo可轻微提升超导临界温度至7.2 K以上，但随Mo含量增加超导性下降，同时临界电流密度提升26%，上临界磁场达14.71 T创纪录。

　　

过渡金属硫族化合物（TMDs）在结构和电子性质上表现出显著的可调性，这使它们成为探索二维材料中量子相的理想平台。其中，2H-NbSe?是一种经典的TMD超导体，具有相对较高的超导转变温度（Tc）为7.2 K。在这项研究中，我们研究了在NbSe?中Nb位点掺杂Mo的影响，形成了Nb1–xMoxSe2（0 ≤ x ≤ 0.15）合金体系。值得注意的是，在低掺杂水平x = 0.01时，观察到Tc略有升高，随后随着Mo含量的增加而逐渐降低，表明超导性与Mo掺杂之间存在非单调关系。我们还发现，对于x = 0.01的样品，临界电流密度Jc相比未掺杂的NbSe?增加了约26%。对于x = 0.01的样品，上临界场Bc2估计约为14.71 T，这是多晶NbSe2中报道的最高值之一，表明在低Mo掺杂水平下NbSe2的超导态稳定性显著增强。