解决方案：经过处理的具有高功函数（n型）的V2O5–x材料，用于制备倒置钙钛矿太阳能电池，可显著提升光伏性能和反向偏压稳定性

《ACS Applied Energy Materials》：Solution-Processed High Work Function n-type V2O5–x for Inverted Perovskite Solar Cells with Enhanced Photovoltaic Performance and Reverse Bias Stability

以水溶性的n型钒氧化物（V?O???）作为电子传输层，通过自组装单分子层优化界面，制备了反向击穿电压达-31.77V的高效稳定钙钛矿太阳能电池（23.5%），揭示了高功函数n型半导体在界面工程中的关键作用。

　　

最近，由于具有多价态、制备方法简单且所需温度低等优点，五氧化二钒（V₂O_5-x）已成为钙钛矿太阳能电池（PSCs）中潜在的阳极缓冲层材料。几乎所有研究都表明，制备出的V₂O_5-x属于p型半导体，因此可作为空穴传输层。在本研究中，我们发现了一种水溶性的V₂O_5-x，它具有n型导电性，同样可以有效地作为PSCs中的空穴收集层（HCL）。通过全面的表征和密度泛函理论（DFT）计算，我们证实V₂O_5-x是一种具有较高功函数（WF）的n型半导体。当与自组装单层结构结合使用时，该材料能够通过提高ITO电极的功函数来优化前界面的能带弯曲，并减少界面缺陷密度，从而促进载流子的收集并抑制非辐射复合过程，最终实现了高达23.5%的最高功率转换效率，这突显了战略性界面工程的重要性，而不仅仅是依赖传统的p型导电机制。此外，该器件还表现出优异的反向偏压稳定性。高功函数的n型V₂O_5-x空穴收集层使器件的反向击穿电压达到了|?31.77| V，远高于传统的基于NiO_x的器件（约|?6| V）。这项研究展示了基于水溶性V₂O_5-x的PSCs的优异性能，包括其工作机制和高的反向偏压稳定性，为实现高效且稳定的钙钛矿太阳能电池提供了一条可行的途径。