协同作用的银掺杂与卤化物钝化技术，显著提升CsPbI3量子点的稳定性与发光效率

Ag+掺杂与卤素钝化协同优化CsPbI3量子点结构，抑制缺陷并提升光稳定性，PLQY达96.6%，光腐蚀后仍保持41%初始效率，外量子效率36.8%的LED器件性能优异。

　　

CsPbI₃ 量子点（QDs）的内在不稳定性对其在光电设备中的实际应用构成了重大挑战。在这里，我们展示了 Ag⁺ 掺杂和卤化物（Cl^–/I^–）钝化的联合效应，以增强 CsPbI₃ QDs 的结构和光学稳定性。用 Ag⁺ 部分替代 Pb²⁺ 可导致晶格收缩和缺陷减少，而 Cl^– 则起到表面局部钝化的作用。结构分析（X 射线衍射、高分辨率透射电子显微镜和高分辨率扫描透射电子显微镜）证实 Ag⁺ 的成功掺入且没有产生次生相；X 射线光电子能谱深度分析显示 Cl^– 在表面富集。使用 AgCl 和 AgI 前驱体进行混合掺杂有效稳定了立方相钙钛矿结构，使光致发光量子产率（PLQY）从约 85% 提高到 96.6%，并减少了非辐射复合现象，这一点通过时间分辨光致发光测量得到了验证。优化后的 CsPb_1–xAg_xI₃（x = 0.025 AgCl + 0.025 AgI）表现出优异的光稳定性，在连续紫外光照 70 天后仍保持约 41% 的初始 PLQY。当这些量子点集成到红光发光二极管器件中时，可实现高达 36.8% 的外部量子效率，并具有稳定且饱和的发光性能。这些结果证明了 Ag⁺/卤化物共掺杂是一种有效的策略，有助于推动 CsPbI₃ QDs 向坚固、高性能的光电应用发展。