通过调控基底取向的拓扑氧化法制备单取向VO2薄膜

《Crystal Growth & Design》：Achieving Single-Orientation VO2 Films by Substrate-Tuned Topotactic Oxidation

本文合成了四种新型ET-Au–CN电荷转移盐，通过单晶X射线衍射和拉曼光谱揭示了其单核、双核及多核阴离子结构，ET分子呈现完全氧化态（1、2）和电荷分离态（3、4），电输运显示半导体行为，计算证实能带结构维度及填充特性。

　　

我们报告了四种基于双(乙烯二硫)四硫富瓦烯(ET)和Au–CN阴离子的新型电荷转移盐的合成与表征：(ET)[Au₂(CN)₃] (1)、(ET)₃[Au(CN)₂]₃(TCE) (TCE：1,1,2-三氯乙烷) (2)、(ET)₅[Cu₂{μ-Au(CN)₂}₂{Au(CN)₂}₂(CN)][Au(CN)₂] (3) 和 (ET)₄[Au(CN)₂]₃(EtOH)_0.5 (4)。尽管基于ET的材料在结构上具有丰富性和电子多样性，但含有Au–CN的ET盐类至今仍大部分未被研究。在本研究中，我们通过单晶X射线衍射测量方法，开发了含有不同类型阴离子（包括单核、双核和多核阴离子）的新型Au–CN ET盐。拉曼光谱测量用于评估ET分子的电荷状态，如完全氧化状态（盐 1、2）和电荷分离状态（盐 3、4）。传输性质测量显示这些盐具有半导体行为。实验结果与我们的能带结构计算一致，后者阐明了能带的前沿能级的维度和填充情况。这些结果突显了基于Au–CN的有机导体的多样结构和电子特性，并为进一步研究含有较少被探索的阴离子成分的自由基阳离子盐的物理性质提供了宝贵的见解。