超越普通胶带：可扩展的高质量CVD石墨烯转移技术

《Nano Letters》：Moving Beyond Scotch Tape: Scalable Transfer of Research-Grade CVD Graphene

本研究采用蒸发镍将铜（111）基底上连续的高质量CVD石墨烯转移，避免损伤并保持本征特性，经hBN封装后其低温磁输运性能与最佳剥离石墨烯相当，且可实现低扭曲魔角双层石墨烯的堆叠，证明CVD石墨烯可替代剥离片用于高需求应用。

　　

虽然通过化学气相沉积（CVD）制备可扩展的石墨烯自2008年以来已被广泛使用，但需要持续高纯度的基础研究仍然依赖于剥离得到的石墨烯。在这里，我们使用蒸发的镍将超高纯度的CVD石墨烯从Cu(111)表面转移到基底上，形成连续的薄膜或预定义形状的阵列。通过精确控制蒸发条件，我们避免了石墨烯的损伤，从而保持了其原有的质量。这种干法转移工艺大大减少了应力和掺杂。经过hBN封装后，CVD生长的石墨烯表现出与最佳剥离石墨烯器件相当的低温度磁输运性能。CVD生长的石墨烯还可以堆叠起来，形成具有低扭曲无序度的魔角扭曲双层石墨烯。这些结果表明，CVD生长的石墨烯可以替代剥离得到的石墨烯片材，适用于甚至是最苛刻的应用场景。