异质结工程技术显著提升了光电探测器的抗海水腐蚀和光腐蚀能力，从而延长了其使用寿命

《Nano Letters》：Heterojunction Engineering Significantly Resisting Seawater and Photocorrosion Enable Photoelectrochemical Detectors’ Prolonged Lifespan

本文报道了一种适用于海水环境的p-GaAs/n-CdS光电化学探测器，通过异质结协同效应实现快速界面反应和光腐蚀抑制，在0 V工作下展现出宽频响应（0.1-10 μm）、超快响应时间（2.16 ms）、高检测率（1.06×10^10 Jones）及显著提升的稳定性（寿命延长10倍以上）。

　　

光通信技术被视为海洋勘探和开发中最重要的技术之一，而光电探测器是其实现的关键。然而，复杂的海洋环境（如光衰减和海水腐蚀性）限制了传统光电探测器的应用。在这里，我们报道了一种p-GaAs/n-CdS光电化学光电探测器，该探测器在海水中具有高灵敏度、稳定性和宽带响应特性。由于强内建电场驱动的电子传输加速、阶梯状能带结构以及n-CdS的高电子迁移率，这种异质结结构实现了快速的界面反应，并避免了电子在GaAs上积累导致的光腐蚀。得益于这些优势，与p-GaAs相比，p-GaAs/n-CdS在0 V电压下的宽带范围内的光电检测性能显著提升：响应时间为2.16/2.22毫秒，检测灵敏度达到1.06 × 10¹⁰ Jones，响应速率为17.3 mA W^–1，并且其使用寿命在海水中延长了10倍以上（从150秒延长到1600秒）。