在有机离子插层的CrSBr材料中，200 K以上仍表现出铁磁性

《ACS Nano》：Ferromagnetism above 200 K in Organic-Ion Intercalated CrSBr

CrSBr的分子插层调控磁有序与结构演变及其在高温二维磁电器件中的应用研究。

　　

CrSBr是一种范德华磁性半导体，在140 K以下表现出反铁磁有序。由于其电子、光学和磁性质可以通过外部刺激（如电控或磁场）进行深度调控，因此它已成为研究二维磁性的一个有前景的平台。然而，对于CrSBr而言，其他调节层状材料磁性的方法（如分子插层）仍大多未被探索。在这里，我们证明了将四甲基铵（TMA）和四丙基铵（TPA）离子插入CrSBr中可以使其从反铁磁有序转变为铁磁有序，并显著提高磁转变温度，分别达到190 K（TMA）和230 K（TPA）。所得到的插合物具有空气稳定性，在50 K时表现出超过60%的大滞后磁阻效应（TPA情况）。此外，插层在每个CrSBr平面引入了对称性破缺的结构变化，这一变化通过拉曼显微镜观察得到证实，并通过密度泛函理论（DFT）计算得到支持。这些发现表明，分子插层是一种强大且多用途的方法，可用于定制CrSBr的磁性质，并释放其制造坚固、高温二维磁性器件的潜力。