原子级薄层Kagome金属LaTl3中的高阶Van Hove奇点

《ACS Nano》：High-Order Van Hove Singularities in Atomically Thin Kagome Metal LaTl3

单层LaTl3 kagome金属在Si(111)上外延生长，通过STM、ARPES和计算证实其具有kagome-like有序结构，并首次观测到高阶范霍夫奇点（HOVHSs），这些奇点因能带极平特性显著改变电子行为，为高电子相关态调控提供新平台。

　　

卡戈梅（Kagome）材料是一个多功能平台，在这种平台上，平带、狄拉克费米子（Dirac Fermions）和范霍夫奇点（Van Hove singularities）之间的相互作用能够引发一些奇特且强关联的现象。最近有研究预测，理想的单层卡戈梅晶格可能具有高阶范霍夫奇点（HOVHSs），其特征是极平的能带分散，这会导致电子行为的显著变化。然而，迄今为止，实验上仅在少数材料中观察到了HOVHSs，主要是在石墨烯层中，而在金属-半导体界面中尚未发现。在这里，我们报告了在Si(111)衬底上外延生长的单层LaTl₃中发现了HOVHSs。扫描隧道显微镜观察和第一性原理计算表明LaTl₃层具有类似卡戈梅的有序结构，而角分辨光电子能谱测量和理论预测揭示了系统中出现的多种复杂的范霍夫奇点，包括高阶奇点，这些奇点能够显著影响异常霍尔效应（anomalous Hall response），并使系统进入独特的高电子关联状态。这些发现使得LaTl₃卡戈梅单层成为超紧凑型纳米电子器件中非常有吸引力的材料。