掺镓的MnMoO4多孔花状结构的制备及其超级电容器性能研究

《Reaction Chemistry & Engineering》：Preparation of a Ga-doped MnMoO4 porous flower-like structure and study on its supercapacitor performance

镓掺杂MnMoO4自支撑花状电极通过溶胶-凝胶法制备，氧空位和晶格缺陷提升导电性及离子传输，花状结构增强比表面积和稳定性，循环测试显示优异保持率，与碳纳米管复合后能量存储效率显著提高。

　　

在这项研究中，通过溶胶-凝胶法成功制备了掺镓的MnMoO₄自支撑花状结构电极材料。研究结果表明，掺入镓不仅提高了MnMoO₄的导电性和电荷传输速率，还通过引入氧空位和晶格缺陷增强了电解质的渗透性和离子传输能力。此外，自支撑的花状结构增加了材料的比表面积，提高了材料的结构稳定性，为离子提供了更多的传输通道，并改善了材料的电化学反应速率和循环稳定性。在三电极测试系统中，掺镓的花状MnMoO₄在15 A g^-1的高电流密度下经过10000次循环后，其比电容从1376 F g^-1下降到1358 F g^-1，容量保持率为98.6%。这充分证明了该材料在循环寿命方面具有优异的稳定性。同时，碳纳米管（CNT）材料的性能得到提升后，其优异的导电性和离子扩散特性为高效能量存储提供了有力支持。掺镓的花状MnMoO₄//CNT器件在5 A g^-1的电流下经过10000次循环后，比电容从初始的255 F g^-1下降到249 F g^-1，容量保持率为97.6%，为高性能超级电容器的设计与开发提供了一种有效策略。