通过溅射掺锂的NiO和具有双重功能的自组装单层膜，改善了量子点发光二极管的电荷平衡

《ACS Applied Electronic Materials》：Improved Charge Balance in Quantum Dot Light-Emitting Diodes with Sputtered Li-doped NiO and a Dual-function Self-Assembled Monolayer

通过优化电荷注入平衡提升量子点发光二极管性能，采用射频溅射制备NiO:Li薄膜并引入4-三氟甲基苯甲酸自组装单层，分别增强空穴注入和抑制电子注入，最终实现9.41%的外量子效率和50199 cd/m2峰值亮度。

　　

要实现高性能的量子点发光二极管（QLED），这些二极管是下一代显示技术的有希望的候选者，需要在电子和空穴的注入方面达到平衡，同时尽量减少非辐射复合现象。在这项研究中，为了改善QLED中的电荷平衡，我们通过在不同氧分压下采用射频溅射技术沉积NiO:Li薄膜来提高空穴注入层的导电性。此外，还在NiO:Li薄膜上引入了由4-三氟甲基苯甲酸制成的自组装单层（SAM），以降低空穴注入势垒并促进空穴的有效传输。这种SAM也被应用于量子点层之上，作为电子阻挡层，通过增加电子注入势垒来抑制过多的电子注入。优化后的QLED表现出9.41%的最大外部量子效率和50,199 cd/m²的峰值亮度。这些发现展示了一种通过协同调节电荷注入和复合动力学来提升QLED性能的可行策略。