通过界面工程结合CsPbCl3量子点提升准二维钙钛矿基纯红色发光二极管的性能

《ACS Applied Materials & Interfaces》：Enhancing the Performance of Quasi-Two-Dimensional Perovskite-Based Pure Red Light-Emitting Diodes through Interface Engineering with CsPbCl3 Quantum Dots

优化钙钛矿发光二极管性能，在红QLED发射层与电子传输层间引入CsPbCl3量子点中间层，通过结构兼容性提升薄膜形貌，表面钝化减少非辐射复合，能带排列促进电子注入并抑制空穴复合，使器件外量子效率达23.7%，寿命提升15倍。

　　

为了优化载流子的注入并减少钙钛矿发光二极管（PeLEDs）中的界面损耗，我们在红色准二维（PEA₅NMA₅）_0.2CsPb₂I₇发光层和电子传输层（ETL）之间引入了一层薄的CsPbCl₃量子点（QDs）界面层。这一中间层显著提升了器件性能，我们认为这归因于多种协同效应。首先，CsPbCl₃量子点与发光材料之间的结构兼容性确保了界面的无缝连接，改善了薄膜的形态和界面接触。其次，CsPbCl₃量子点作为钝化层，可以减少表面陷阱态，并抑制碘离子的扩散以及卤素空位引起的非辐射复合现象。此外，CsPbCl₃量子点具有宽的带隙和合适的导带位置，形成了有利的能级级联，从而促进了电子从ETL高效注入发光层，同时阻挡了空穴的传输。这些综合效应共同作用，提高了电致发光效率并增强了器件的工作稳定性。结果表明，纯红色PeLEDs的外部量子效率达到了23.7%，并且工作寿命延长了15倍。