双策略工程：Mg2+掺杂与原位液体配体钝化技术用于高性能纯红色钙钛矿LED的制备

《Advanced Optical Materials》：Dual-Strategy Engineering: Mg2+ Doping and In Situ Liquid Ligand Passivation for High-Performance Pure Red Perovskite LEDs

钙钛矿纳米晶通过镁离子掺杂与原位硫醇钝化协同优化，显著提升发光二极管器件的稳定性与效率，实现24.2%外量子效率及69分钟半衰期。

　　

摘要

混合卤化物钙钛矿纳米晶体（PeNCs），如CsPbBr_xI_3-x，为纯红色钙钛矿发光二极管（PeLEDs）提供了可调的发光特性和高光致发光量子产率（PLQY）。然而，表面缺陷和相稳定性问题因长链配体的存在而加剧，从而降低了材料的稳定性和效率。通过结合Mg²⁺掺杂和原位1,8-辛二硫醇钝化处理，开发出一种双策略方法来制备稳定且高效的CsPbBr_xI_3-x PeNCs薄膜。Mg²⁺掺杂可诱导晶格收缩，抑制碘空位，并提高相稳定性；原位1,8-辛二硫醇处理使用乙酸乙酯作为非极性抗溶剂，将绝缘配体替换为短链HS^?终止的配体，从而钝化表面缺陷。这些PeNC薄膜制备的纯红色PeLEDs具有635纳米的发光峰，外部量子效率（EQE）为24.2%，亮度达到14406 cd m^?2，在1000 cd m^?2的亮度下半衰期为69分钟，性能优于原始的PeNCs基器件（EQE为3.15%，T₅₀为12分钟）。这种原位处理方法最大限度地减少了沉积过程中产生的缺陷，为高性能PeLEDs在显示技术中的应用提供了可扩展的制备途径。

利益冲突

作者声明没有利益冲突。