更正：一种由硅工业废弃物制成的动态富硫网络

《Green Chemistry》：Correction: A dynamic sulfur-rich network from silicone industry waste

更正声明：作者更正《Green Chem.》2025年第27卷13089-13098页论文中图4b及补充图S18a的标尺错误，已更新补充材料并致歉。

　　

对Zixiao Wang等人发表在《Green Chem.》2025年第27卷第13089-13098页的文章《来自硅工业废料的动态富硫网络》的更正：https://doi.org/10.1039/D5GC02864G。

作者们对图4b和图S18a中的刻度线错误表示歉意。已更正的图4版本如下所示。

图4 MoS₂/poly(DMDVS₁-r-S₉)-F器件的电学特性。(a)器件的结构示意图；(b)MoS₂/poly(DMDVS₁-r-S₉)-F器件的光学显微图。MoS₂和poly(DMDVS₁-r-S₉-F分别用蓝色和绿色虚线标出。(c)在真空条件下，测量不同温度下MoS₂ FETs（不含poly(DMDVS₁-r-S₉)-F）和含有poly(DMDVS₁-r-S₉-F）时的转移曲线。（d）在电压V_ds = 1 V时，电压V_g在-100至80 V之间来回变化时的转移曲线。(e)结合多种含硫材料，绘制了滞后窗口与温度的关系图。(f)提出了滞后现象的机制：热激活的硫空位（SVs）在MoS₂中充当电子捕获/释放中心，而聚合物中的硫基团部分钝化了这些硫空位，从而在高温下抑制了滞后窗口的形成。

补充信息中也更新了图S18的更正版本。

英国皇家化学学会对这些错误以及由此给作者和读者带来的不便表示歉意。

脚注

1. ? 这些作者对这项工作的贡献是平等的。