降低边缘区域的硫含量密度，以促使二硫化钼纳米阵列形成分支结构，从而提高其析氢反应活性

利用动态磁场可在1分钟内实现垂直生长的MoS?纳米阵列，通过降低S/Mo比例和氢蚀刻处理增强活性边缘，其HER活性达100 mA cm?2（过电位238 mV），且电极结构经24小时测试后保持稳定。

　　

通过在特定基底上施加动态磁场，可以在1分钟内实现二硫化钼（MoS?）纳米阵列的制备。这些高质量的MoS?纳米阵列垂直立于基底表面。降低S/Mo比例可以增加MoS?纳米阵列的活性边缘数量。此外，氢蚀刻有助于在生长过程中促进MoS?边缘的形成。由此获得的MoS?纳米阵列表现出优异的氢演化反应（HER）性能，在过电位（η）为238 mV时，其几何催化电流密度达到100 mA cm?2。另外，在100 mA cm?2的电流下进行24小时计时安培测试（CP）后，催化剂电极的结构仍然保持稳定。