通过MBE生长出的Weyl半金属1T′-WTe2制备二维范德华电极，以提高InSe中的光检测性能

《Small》：Engineering 2D Van der Waals Electrode via MBE-Grown Weyl Semimetal 1T′-WTe2 for Enhanced Photodetection in InSe

二维过渡金属硫化物1T′-WTe?通过MBE外延生长实现，作为新型二维接触材料显著降低InSe/1T′-WTe?界面接触电阻（降低21倍），抑制费米能级钉扎效应，同时提升近红外至紫外波段光探测器性能达60倍，响应速度提高至42/126 ms。

　　

摘要

在先进的量子电子设备中实现低接触电阻仍然是一个关键挑战。随着对更快、更节能的设备的日益需求，二维接触工程提供了一个有前景的解决方案。除了石墨烯之外，1T′-WTe₂因其优异的电传输性能、量子现象和Weyl半金属性而受到关注。本文展示了通过分子束外延（MBE）技术在晶圆尺度上直接生长1T′-WTe₂，并将其作为层状材料（如InSe）的二维接触层的应用。1T′-WTe₂/InSe界面的势垒高度几乎仅为传统金属接触层的一半，其接触电阻降低了21倍，有效抑制了费米能级的钉扎现象，从而实现了高效的电子注入。InSe/1T′-WTe₂光电探测器在近红外（NIR）到深紫外（DUV）光照射下表现出宽的光响应范围（0.14–217.58 A W^?1），且响应上升/下降时间分别为42/126 ms，而InSe/Ti–Au器件的响应范围较窄（8.65 × 10^?4–3.64 A W^?1），响应时间较慢（150/144 ms）。因此，1T′-WTe₂/InSe器件的响应率约为传统金属接触层的60倍，响应速度约为其4倍。这些结果表明，MBE生长的1T′-WTe₂是一种有效的二维电极材料，能够提升光电检测性能并简化器件结构，使其成为下一代纳米电子和光电子器件的理想候选材料。

利益冲突

作者声明不存在利益冲突。