通过设计具有光诱导电致转变（PIET）特性的离散施主-受主结构，有效抑制暗电流，从而提升高灵敏度半导体光电探测器的性能

《Advanced Materials》：Efficient Dark Current Suppression by Engineering PIET-Active Discrete Donor–Acceptor Architecture for High-Sensitivity Semiconductor Photodetectors

高灵敏度光电探测器通过离散D-A结构和光诱导电子转移（PIET）技术实现暗电流降低94%和光电流提升83%，灵敏度提高一倍。

　　

摘要

高灵敏度光电探测器在天文学、夜视技术和生物成像领域具有至关重要的意义。目前提高探测器灵敏度的方法仍面临制备过程复杂以及依赖低温环境的挑战。本研究证明，通过构建离散的施主（D）-受体（A）结构并利用光诱导电子转移（PIET）技术，可以同时有效降低暗电流并增加光电流，从而显著提升探测灵敏度。采用这种协同策略，基于花青素的变色半导体（具有离散的铋卤化物结构）在经过PIET和着色处理后，其暗电流可降低约94%——这一降幅远超使用外部场诱导改性方法所获得的结果——同时光电流增加了约83%。这一改进使得探测灵敏度（S）提高了两倍。这一发现为开发超高灵敏度光电探测器和智能半导体提供了新的有效途径。

利益冲突

作者声明不存在利益冲突。