Z907染料表面功能化提升无铅Cs3Bi2I9钙钛矿自供电光电探测器性能的界面工程研究

《Journal of Alloys and Compounds》:Surface functionalization of lead-free Cs 3Bi 2I 9 perovskite films with the ruthenium dye Z907 enables photoinduced charge separation and self-powered photodetection

【字体: 时间:2025年10月27日 来源:Journal of Alloys and Compounds 6.3

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  本研究发现通过Z907染料对无铅Cs3Bi2I9钙钛矿进行表面功能化,可重构其电子结构(KPFM显示费米能级下移300 mV),实现能带对齐(SPD)并加速空穴提取(IMPS显示电荷转移时间降低一个数量级)。该界面工程使零偏压响应度/探测率提升2-3倍,并通过8位ASCII光脉冲编码验证了其在可见光通信(VLC)中的应用潜力。

  
结果与讨论
如图1a和b所示,SEM图像显示Cs3Bi2I9薄膜具有均匀覆盖的纳米晶体结构,但存在晶间空隙。通过旋涂Z907染料后(图1c和d),薄膜形貌保持完整(后续AFM分析进一步证实)。表面粗糙度(Ra≈12 nm)未发生显著变化,但空间电荷限制电流(SCLC)测试表明陷阱态被有效钝化。开尔文探针力显微镜(KPFM) mapping揭示了300 mV的费米能级下移,使Cs3Bi2I9的价带与P3HT的最高占据分子轨道(HOMO)对齐,为空穴提取打开高效通道。Cs3Bi2I9/Z907/P3HT异质结产生325 mV的表面光电压(SPV),并将上升/衰减时间常数从496/313 ms缩短至285/286 ms。瞬态表面光电压(TSPV)曲线出现极性反转、7倍SPV放大及延长衰减尾迹,证明载流子流向被重构且陷阱辅助回传被抑制。动态强度调制光电流谱(IMPS)显示电荷转移时间降低一个数量级,高频相位角显著增大,证实界面空穴提取加速且复合电阻降低。这些动力学改进使零偏压响应度和探测率比原始薄膜提高2-3倍,器件可通过二进制光脉冲清晰编码8位ASCII信号,展现了分子界面工程在能源自主型可见光通信中的潜力。
结论
总之,我们证明通过Z907染料对无铅Cs3Bi2I9钙钛矿薄膜进行简单表面功能化,可借助界面工程显著提升零偏压光电探测性能。Z907层诱导约300 mV费米能级下移及相应能带弯曲,使Cs3Bi2I9价带与P3HT的HOMO能级接近共振,从而实现快速空穴提取并抑制界面复合。KPFM、TSPV和IMPS测试共同揭示了重新定向的载流子传输路径与降低的复合损失,为开发高效自供电光电器件提供了新策略。
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